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STL64DN4F7AG
2个N沟道 耐压:40V 电流:40A
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- 描述
- 汽车级N沟道40 V、7.0 mOhm典型值、64 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6双岛封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL64DN4F7AG
- 商品编号
- C3279584
- 商品封装
- PowerVDFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.282058克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 57W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 637pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 240pF |
商品概述
这款新一代 MOSFET 旨在最大限度降低导通电阻 (R_DS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 具备市场上极低的 RDS(on)
- 出色的品质因数(FoM)
- 低 Crss / Ciss 比,具备抗电磁干扰能力
- 高雪崩耐量
- 可焊侧翼封装
应用领域
- 开关应用