STL21N65M5
1个N沟道 耐压:650V 电流:17A
- SMT扩展库
描述
N沟道650 V、0.175 Ohm典型值、2.7 A MDmesh M5功率MOSFET，PowerFLAT 8x8 HV封装
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STL21N65M5商品编号
C3279587商品封装
PowerVDFN-8包装方式
编带
商品毛重
1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 179mΩ@8.5A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 3W；125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.95nF@100V | |
| 工作温度 | - |
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