FDMS8570SDC
N沟道,电流:60A,耐压:25V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS8570SDC
- 商品编号
- C3279580
- 商品封装
- PowerTDFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 59W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.825nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 94pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 662pF |
商品概述
该器件是一款基于创新专有垂直工艺技术的N沟道MDmesh V功率MOSFET，结合了知名的PowerMESHTM横向布局结构。由此产生的产品具有极低的导通电阻，这在硅基功率MOSFET中是无与伦比的，使其特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。
商品特性
- 该值根据Rthj - case进行额定
- 经过100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 开关应用