SIDR622DP-T1-GE3
N沟道,电流:56.7A,耐压:150V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIDR622DP-T1-GE3
- 商品编号
- C3279577
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8DC
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 56.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20.4mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.516nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 新型低热阻 PowerPAK 封装
- 节省空间的双 MOSFET
应用领域
- 同步降压抗直通
- 优化用于初级侧开关
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