SIR862DP-T1-GE3
N沟道 MOSFET,电流:50A,耐压:25V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR862DP-T1-GE3
- 商品编号
- C3279551
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 890pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 344pF |
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