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SQJA26EP-T1_GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:410A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET，符合AEC-Q101标准。 100%进行Rg和UIS测试。 Qgd/Qgs比率 < 1，优化开关特性
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJA26EP-T1_GE3
- 商品编号
- C3279552
- 商品封装
- PowerPAKSO-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 410A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.77mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 261nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.778nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 186pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.774nF |
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