温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIR584DP-T1-RE3
N沟道,电流:100A,耐压:80V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：TrenchFET Gen V功率MOSFET。 极低的RDS×Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS×Qoss FOM进行了调整。 100%进行Rg和UIS测试。 RoHS合规，无卤。应用：同步整流。 初级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR584DP-T1-RE3
- 商品编号
- C3279546
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.29克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET第五代功率MOSFET
- 极低的RDS × Qg品质因数(FOM)
- 针对最低的RDS × Qoss FOM进行优化
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 同步整流
- 初级侧开关
- DC/DC转换器
- 或门和热插拔开关
- 电源
- 电机驱动控制
- 电池管理
相似推荐
其他推荐
- SQJ150EP-T1_GE3
- SIHJ240N60E-T1-GE3
- SIR188DP-T1-RE3
- SQJ164ELP-T1_GE3
- SIR862DP-T1-GE3
- SQJA26EP-T1_GE3
- SQJA66EP-T1_GE3
- SQJ168ELP-T1_GE3
- SQJ142ELP-T1_GE3
- SQJ422EP-T1_BE3
- SIR158DP-T1-RE3
- SQJ410EP-T1_GE3
- SQJA38EP-T1_GE3
- SIR5802DP-T1-RE3
- SI7157DP-T1-GE3
- SIR570DP-T1-RE3
- SIRA52ADP-T1-RE3
- SQJ912AEP-T2_BE3
- SQJ951EP-T1_BE3
- SI7942DP-T1-GE3
- SQJA60EP-T1_BE3