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SIR188DP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:60V 电流:60A
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- 描述
- 特性：沟槽场效应晶体管第四代功率MOSFET。 极低的RDS-Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS-Qoss FOM进行了优化。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步整流。 初级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR188DP-T1-RE3
- 商品编号
- C3279549
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.9mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 65.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.92nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 530pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 极低的 RDS-Qg 品质因数(FOM)
- 针对最低的 RDS-Qoss 品质因数进行优化
- 100%进行 Rq 和UIS测试
应用领域
-同步整流-初级侧开关-DC/DC转换器-电机驱动开关
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