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SI7431DP-T1-E3
1个P沟道 耐压:200V 电流:3.8A
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- 描述
- 特性：沟槽式场效应晶体管功率MOSFET。 极低导通电阻，对应用至关重要。 低热阻。 低轮廓1.07mm的PowerPAK封装。 100%进行Rg和雪崩测试。应用：中间直流/直流电源中的有源钳位
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7431DP-T1-E3
- 商品编号
- C3279541
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 174mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 5.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 88nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
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