SIR106DP-T1-RE3
N沟道 100 V MOSFET,电流:65.8A,耐压:100V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR106DP-T1-RE3
- 商品编号
- C3279527
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.61nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 极低的导通电阻-栅极电荷品质因数(FOM)
- 针对最低的导通电阻-输出电荷品质因数进行优化
- 100%进行栅极电阻和非钳位感性开关测试
应用领域
- 同步整流
- 初级侧开关
- DC/DC转换器
- 或门二极管功能
- 电源
- 电机驱动控制
- 电池和负载开关
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