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SIRA74DP-T1-GE3
N沟道,电流:81.2A,耐压:40V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIRA74DP-T1-GE3
- 商品编号
- C3279522
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 81.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.1mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 46.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 390pF |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 针对最低RDS - Qoss品质因数进行优化
- 100%进行Rg和UIS测试
- Qgd/Qgs比率 < 1,优化开关特性
- 针对波峰焊进行优化
- 灵活的引脚增强了对电路板弯曲的耐受性
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-同步整流-高功率密度DC/DC转换器-DC/AC逆变器-开关模式电源
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