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SQJ123ELP-T1_GE3
1个P沟道 耐压:12V 电流:238A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET，符合AEC-Q101标准。 100%进行Rg和UIS测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJ123ELP-T1_GE3
- 商品编号
- C3279508
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 238A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.4mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.68nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.982nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.443nF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
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