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SQJ138EP-T1_GE3

1个N沟道耐压:40V 电流:330A

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描述: 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET通过AEC-Q101认证。 100%进行Rg和UIS测试。 Qgd / Qgs比率 < 1，优化开关特性
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SQJ138EP-T1_GE3
商品编号: C3279514
商品封装: PowerPAKSO-8L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.2215克(g)

商品参数

商品概述

汽车级N沟道60 V（D-S）、175 °C MOSFET，PowerPAK 1212-8在小封装中提供超低热阻，非常适合空间受限的应用。PowerPAK 1212-8封装是PowerPAK SO-8的派生封装。它采用相同的封装技术，最大限度地增大了芯片面积。芯片焊盘底部外露，为器件所安装的基板提供直接的低电阻热通路。PowerPAK 1212-8的占位面积与TSOP-6相当。它比标准TSSOP-8小40%以上。其芯片容量是标准TSOP-6的两倍多。其热性能比SO-8好一个数量级，比TSSOP-8好20倍。它的热性能优于市场上所有现有的表面贴装封装。它能充分利用印刷电路板的散热能力。与TSSOP-8相比，降低结温还能使芯片效率提高约20%。对于通常仅出于散热考虑而需要更大封装的应用，PowerPAK 1212-8是一个不错的选择。单通道和双通道PowerPAK 1212-8的引脚排列与单通道和双通道PowerPAK SO-8相同。PowerPAK高度仅1.05 mm，这两种版本都是空间受限应用的理想选择。

商品特性

沟槽式场效应功率MOSFET
通过AEC-Q101认证
100%进行Rg和UIS测试
符合RoHS标准且无卤
N沟道MOSFET

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	330A
	导通电阻(RDS(on))	1.8mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	312W
	阈值电压(Vgs(th))	3.5V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	81nC@10V
	输入电容(Ciss)	4.715nF
	反向传输电容(Crss)	80pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	1.56nF