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SIJA22DP-T1-GE3
N沟道,电流:201A,耐压:25V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIJA22DP-T1-GE3
- 商品编号
- C3279511
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 201A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 125nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 202pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 沟道型场效应晶体管(TrenchFET)第四代功率MOSFET
- 针对最低的 RDS - Qoss 品质因数(FOM)进行优化
- 100%进行 Rg 和非钳位感性开关(UIS)测试
- Qgd / Qgs 比 < 1,优化开关特性
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 同步整流
- 高功率密度DC/DC
- 热插拔开关和或门FET
- 电池和负载开关
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