SQJ126EP-T1_GE3

汽车级N沟道30V MOSFET,电流:500A,耐压:30V

品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SQJ126EP-T1_GE3
商品编号: C3279501
商品封装: PowerPAK-SO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品概述

N沟道75 V（D-S）MOSFET，PowerPAK 1212-8是PowerPAK SO-8的派生产品，采用相同的封装技术，可最大化芯片面积。芯片底部的附着垫外露，为安装设备的基板提供直接、低电阻的热路径，将PowerPAK SO-8的优势融入更小的封装中，具备相同的热性能水平。其占地面积与TSOP-6相当，比标准TSSOP-8小40%以上，芯片容量是标准TSOP-6的两倍多，热性能比SO-8高一个数量级，比TSSOP-8高20倍，优于市场上所有现有的SMT封装，能充分利用任何PC板散热器的能力，与TSSOP-8相比，可降低结温，使芯片效率提高约20%。单双版本的PowerPAK 1212-8与单双版本的PowerPAK SO-8引脚输出相同，1.05 mm的低矮高度使其成为空间受限应用的理想选择。

商品特性

符合IEC 61249-2-21标准的无卤产品
TrenchFET®功率MOSFET
低热阻PowerPAK®封装，尺寸小且高度仅1.07 mm

应用领域

初级侧开关-N沟道MOSFET

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	500A
	导通电阻(RDS(on))	0.94mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	500W
	阈值电压(Vgs(th))	3.5V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	152nC@10V
	输入电容(Ciss)	8.095nF
	反向传输电容(Crss)	244pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	2.537nF