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SQJ431EP-T1_GE3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SQJ431EP-T1_GE3

1个P沟道 耐压:200V 电流:12A

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SQJ431EP-T1_GE3
商品编号
C3279499
商品封装
PowerPAK-SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.2235克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))221mΩ@6V
耗散功率(Pd)83W
阈值电压(Vgs(th))3.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)106nC@10V
输入电容(Ciss)4.355nF
反向传输电容(Crss)160pF
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)245pF

商品特性

  • 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
  • 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率 MOSFET
  • 通过 AEC-Q101 认证
  • 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感应开关(UIS)测试
  • 符合 RoHS 指令 2002/95/EC

应用领域

  • 服务器和电信电源-开关模式电源(SMPS)-功率因数校正电源(PFC)-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-太阳能(光伏逆变器)

数据手册PDF