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SIA923EDJ-T4-GE3
双P沟道,电流:-4.5A,耐压:-20V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIA923EDJ-T4-GE3
- 商品编号
- C3279494
- 商品封装
- PowerPAK-SC-70-6-Dual
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率 MOSFET
- 新型热增强型 PowerPAK SC-70 封装
- 占位面积小
- 低导通电阻
- 典型静电放电(ESD)保护:2500 V
- 100%进行 Rq 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 便携式设备的充电器开关和负载开关
- DC/DC 转换器
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