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SIHH11N65EF-T1-GE3
1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
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- 描述
- 特性：完全无铅器件。 低品质因数（FOM）Rₒₙ × C₉。 低输入电容（Cᵢₛₛ）。 降低开关和传导损耗。 超低栅极电荷（Q₉）。 雪崩能量额定（UIS）。应用：服务器和电信电源。 开关模式电源（SMPS）
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHH11N65EF-T1-GE3
- 商品编号
- C3279483
- 商品封装
- PowerPAK-5(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 332mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.243nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- P沟道MOSFET
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