SIA456DJ-T3-GE3
N沟道 MOSFET,电流:2.6A,耐压:200V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIA456DJ-T3-GE3
- 商品编号
- C3279490
- 商品封装
- PowerPAK-SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.488868克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 19W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 12pF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 散热增强型PowerPAK SC-70封装
- 占用面积小
- 低导通电阻
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-便携式设备的升压转换器
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