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SIA517DJ-T1-GE3
1个N沟道+1个P沟道 耐压:12V 电流:4.5A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 热增强型PowerPAK@ SC-70封装。 小封装面积。 低导通电阻。应用：便携式设备的负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIA517DJ-T1-GE3
- 商品编号
- C3279492
- 商品封装
- PowerPAK-SC-70-6-Dual
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 6.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 590pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 可焊侧翼端子
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
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