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SQJQ160E-T1_GE3
汽车级MOSFET 1个N沟道 耐压:60V 电流:602A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET，符合AEC-Q101标准。 100%进行Rg和UIS测试。 厚度1.6mm
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJQ160E-T1_GE3
- 商品编号
- C3279472
- 商品封装
- PowerPAK-5(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 602A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 275nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 16.07nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 458pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6.681nF |
商品特性
- 第四代TrenchFET功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 进行100%栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准且无卤素
- N沟道MOSFET
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