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SQJQ466E-T1_GE3
汽车级N沟道60V MOSFET
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101认证。 100%进行Rg和UIS测试。 厚度仅1.9mm
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJQ466E-T1_GE3
- 商品编号
- C3279473
- 商品封装
- PowerPAK-5(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4207克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.21nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.7nF |
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