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SQS840CENW-T1_GE3

汽车级,电流:12A,耐压:40V

描述: 特性：TrenchFET功率MOSFET。通过AEC-Q101认证。 100%进行Rg和UIS测试。 RoHS合规，无卤
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SQS840CENW-T1_GE3
商品编号: C3279468
商品封装: PowerPAK1212-8W
包装方式: 编带
商品毛重: 0.196875克(g)

商品参数

商品概述

N沟道40V（漏源极）快速开关MOSFET，采用PowerPAK 1212-8封装，具有超低热阻，适用于空间受限的应用。该封装技术可最大化芯片面积，芯片底部的焊盘暴露，为器件安装的基板提供直接、低电阻的热路径。其占用面积与TSOP-6相当，比标准TSSOP-8小40%以上，芯片容量是标准TSOP-6的两倍多，热性能比SO-8好一个数量级，比TSSOP-8好20倍。

商品特性

沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
通过AEC-Q101认证
100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
符合RoHS标准且无卤素
N沟道MOSFET

应用领域

同步整流-中间开关-同步降压

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	12A
	导通电阻(RDS(on))	20mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	33W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	22.5nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.031nF
	反向传输电容(Crss)	73pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	164pF