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SQS966ENW-T1_GE3
2个N沟道 耐压:60V 电流:9A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。AEC-Q101合格。100% Rg和UIS测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQS966ENW-T1_GE3
- 商品编号
- C3279471
- 商品封装
- PowerPAK1212-8W
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.63克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 27.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 572pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 247pF |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rq和UIS测试
- 厚度仅1.9 mm
- 符合RoHS标准
- 无卤
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