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SISS73DN-T1-GE3
1个P沟道 耐压:150V 电流:16.2A
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- 描述
- 特性：TrenchFET with ThunderFET technology。 极低的RDS(on)可将传导产生的功率损耗降至最低。 100%进行Rg和UIS测试。应用：有源钳位。 电池和电路保护
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISS73DN-T1-GE3
- 商品编号
- C3279455
- 商品封装
- PowerPAK1212-8S
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.213333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 719pF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 14.6pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交6单
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