温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SISS32LDN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:80V 电流:63A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISS32LDN-T1-GE3
- 商品编号
- C3279461
- 商品封装
- PowerPAK1212-8SH
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 极低的RDS - Qg品质因数(FOM)
- 针对最低的RDS - Qoss FOM进行优化
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
-同步整流-初级侧开关-DC/DC转换器-电机驱动开关-电池和负载开关-工业应用
相似推荐
其他推荐
- SISH407DN-T1-GE3
- SISS78LDN-T1-GE3
- SQS484CENW-T1_GE3
- SQS486CENW-T1_GE3
- SQS660CENW-T1_GE3
- SQS415ENW-T1_GE3
- SQS840CENW-T1_GE3
- SQS411ENW-T1_GE3
- SQS414CENW-T1_GE3
- SQS966ENW-T1_GE3
- SQJQ160E-T1_GE3
- SQJQ466E-T1_GE3
- SIHH24N65E-T1-GE3
- SIHH21N65EF-T1-GE3
- SIHH125N60EF-T1GE3
- SQJQ150E-T1_GE3
- SQJQ100E-T1_GE3
- SIJH112E-T1-GE3
- SQJQ148E-T1_GE3
- SIHH080N60E-T1-GE3
- SIHH11N65EF-T1-GE3