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SISS65DN-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:94A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISS65DN-T1-GE3
- 商品编号
- C3279456
- 商品封装
- PowerPAK1212-8S
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111835克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 94A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 65.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 138nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.93nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 516pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 575pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高整体效率而设计，可最大程度减少使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的开关节点振铃。它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻（rDS(on)）、快速开关速度和体二极管反向恢复性能进行了优化。
商品特性
- TrenchFET第三代P沟道功率MOSFET
- 行业领先的RDS(ON)规格(截至2017年11月)
- 100%进行 Rg 和UIS测试
应用领域
-适配器和充电器开关-负载开关-电机驱动控制-DC/DC转换器-电源-电池管理
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