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SISS65DN-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:94A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISS65DN-T1-GE3
- 商品编号
- C3279456
- 商品封装
- PowerPAK1212-8S
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111835克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 94A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 65.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 138nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.93nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 516pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 575pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高整体效率而设计，可最大程度减少使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的开关节点振铃。它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻（rDS(on)）、快速开关速度和体二极管反向恢复性能进行了优化。
商品特性
- 在栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 17 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 5.8 mΩ
- 在栅源电压（VGS） = 4.5 V、漏极电流（ID） = 14 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 8 mΩ
- 采用先进的封装和硅技术组合，实现低漏源导通电阻（rDS(on)）和高效率
- 下一代增强型体二极管技术，具备软恢复特性
- MSL1坚固封装设计
- 经过100% UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 同步降压转换器的控制MOSFET
- 笔记本电脑
- 服务器
- 电信
- 高效DC-DC开关模式电源
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