温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SISS22LDN-T1-GE3
N沟道,电流:92.5A,耐压:60V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 极低的RDS-Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS-Qoss FOM进行了优化。 RoHS合规。 无卤。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步整流。 初级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISS22LDN-T1-GE3
- 商品编号
- C3279453
- 商品封装
- PowerPAK1212-8S
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.159375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.1mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.54nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
相似推荐
其他推荐
- SISS46DN-T1-GE3
- SISS73DN-T1-GE3
- SISS65DN-T1-GE3
- SISS06DN-T1-GE3
- SISS94DN-T1-GE3
- SISF04DN-T1-GE3
- SISF06DN-T1-GE3
- SISS32LDN-T1-GE3
- SISH407DN-T1-GE3
- SISS78LDN-T1-GE3
- SQS484CENW-T1_GE3
- SQS486CENW-T1_GE3
- SQS660CENW-T1_GE3
- SQS415ENW-T1_GE3
- SQS840CENW-T1_GE3
- SQS411ENW-T1_GE3
- SQS414CENW-T1_GE3
- SQS966ENW-T1_GE3
- SQJQ160E-T1_GE3
- SQJQ466E-T1_GE3
- SIHH24N65E-T1-GE3