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SISS46DN-T1-GE3

N沟道,电流:45.3A,耐压:100V

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SISS46DN-T1-GE3
商品编号: C3279454
商品封装: PowerPAK1212-8S
包装方式: 编带
商品毛重: 0.107克(g)

商品参数

商品概述

该器件专为提高 DC/DC 转换器的效率而设计。采用新型 MOSFET 制造技术，对栅极电荷和电容的各个组成部分进行了优化，以降低开关损耗。低栅极电阻和极低的米勒电荷使该器件在自适应和固定死区时间栅极驱动电路中均能实现出色性能。同时，保持了极低的漏源导通电阻（rDS(on)），使其成为一款极其通用的器件。

商品特性

TrenchFET® 第四代功率MOSFET
极低的 RDS - Qg 品质因数(FOM)
针对最低的 RDS - Qoss 品质因数进行优化
100 % 进行 Rg 和UIS测试

应用领域

-同步整流-初级侧开关-DC/DC转换器-太阳能微型逆变器-电机驱动开关-电池和负载开关-工业应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	45.3A
	导通电阻(RDS(on))	14.6mΩ@7.5V
	耗散功率(Pd)	65.7W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3.4V
	栅极电荷量(Qg)	42nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.14nF
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道