温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SISA12BDN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:87A 电流:24A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISA12BDN-T1-GE3
- 商品编号
- C3279451
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 104A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.71nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 655pF |
商品概述
这款MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它通过了AEC-Q101认证，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：
- 背光照明
- 电源管理功能
- 直流-直流转换器
商品特性
- 额定温度达+175°C — 适用于高环境温度环境
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关（UIS）测试 — 确保最终应用更可靠、更耐用
- 高转换效率
- 低导通电阻RDS(on) — 最大限度降低导通状态损耗
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- DMTH4014LPDQ适用于需要特定变更控制的汽车应用；该产品通过了AEC-Q101认证，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
- 背光照明-电源管理功能-直流-直流转换器
相似推荐
其他推荐
- SIS903DN-T1-GE3
- SISS22LDN-T1-GE3
- SISS46DN-T1-GE3
- SISS73DN-T1-GE3
- SISS65DN-T1-GE3
- SISS06DN-T1-GE3
- SISS94DN-T1-GE3
- SISF04DN-T1-GE3
- SISF06DN-T1-GE3
- SISS32LDN-T1-GE3
- SISH407DN-T1-GE3
- SISS78LDN-T1-GE3
- SQS484CENW-T1_GE3
- SQS486CENW-T1_GE3
- SQS660CENW-T1_GE3
- SQS415ENW-T1_GE3
- SQS840CENW-T1_GE3
- SQS411ENW-T1_GE3
- SQS414CENW-T1_GE3
- SQS966ENW-T1_GE3
- SQJQ160E-T1_GE3