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SIS903DN-T1-GE3
双P沟道,电流:6A,耐压:-20V
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen III p-channel power MOSFET。 62% smaller package footprint than SO-8。 Thermally enhanced PowerPAK package。 100% Rg and UIS tested。 RoHS COMPLIANT HALOGEN FREE。应用：Load switch。 Battery protection
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS903DN-T1-GE3
- 商品编号
- C3279452
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.565nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- TrenchFET第三代P沟道功率MOSFET
- 封装占位面积比SO - 8小62%
- 热性能增强的PowerPAK封装
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准且无卤
应用领域
- 负载开关
- 电池保护
- 适配器和充电器开关
- 手持和移动设备
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