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SI7812DN-T1-GE3
N沟道,电流:7.2A,耐压:75V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7812DN-T1-GE3
- 商品编号
- C3279441
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 840pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品特性
- 沟槽场效应晶体管（TrenchFET）第四代功率MOSFET
- 完全无铅（Pb）器件
- 优化的Qg、Qgd和Qgd/Qgs比率可降低开关相关的功率损耗
- 最大连续漏极电流高达200 A
- 占位面积比D²PAK（TO - 263）小50%
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 同步整流-或门功能-电机驱动控制-电池管理
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