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SI7812DN-T1-GE3
N沟道,电流:7.2A,耐压:75V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7812DN-T1-GE3
- 商品编号
- C3279441
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 840pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品概述
N沟道75 V(D-S)MOSFET,PowerPAK 1212-8是PowerPAK SO-8的派生产品,采用相同的封装技术,可最大化芯片面积。芯片底部的附着垫外露,为安装设备的基板提供直接、低电阻的热路径,将PowerPAK SO-8的优势融入更小的封装中,具备相同的热性能水平。其占地面积与TSOP-6相当,比标准TSSOP-8小40%以上,芯片容量是标准TSOP-6的两倍多,热性能比SO-8高一个数量级,比TSSOP-8高20倍,优于市场上所有现有的SMT封装,能充分利用任何PC板散热器的能力,与TSSOP-8相比,可降低结温,使芯片效率提高约20%。单双版本的PowerPAK 1212-8与单双版本的PowerPAK SO-8引脚输出相同,1.05 mm的低矮高度使其成为空间受限应用的理想选择。
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21标准的无卤产品
- TrenchFET®功率MOSFET
- 低热阻PowerPAK®封装,尺寸小且高度仅1.07 mm
应用领域
-初级侧开关-N沟道MOSFET
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