温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SISA10BDN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:26A 电流:104A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISA10BDN-T1-GE3
- 商品编号
- C3279442
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 104A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.71nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它通过了AEC-Q101认证，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：
- 背光照明
- 电源管理功能
- 直流-直流转换器
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 高功率密度DC/DC
- 同步整流
- 电压调节模块(VRMs)和嵌入式DC/DC
- 电池保护
相似推荐
其他推荐
- SQS405CENW-T1_GE3
- SISA35DN-T1-GE3
- SISC06DN-T1-GE3
- SIS128LDN-T1-GE3
- SIS890ADN-T1-GE3
- SQS460EN-T1_BE3
- SISA12BDN-T1-GE3
- SIS903DN-T1-GE3
- SISS22LDN-T1-GE3
- SISS46DN-T1-GE3
- SISS73DN-T1-GE3
- SISS65DN-T1-GE3
- SISS06DN-T1-GE3
- SISS94DN-T1-GE3
- SISF04DN-T1-GE3
- SISF06DN-T1-GE3
- SISS32LDN-T1-GE3
- SISH407DN-T1-GE3
- SISS78LDN-T1-GE3
- SQS484CENW-T1_GE3
- SQS486CENW-T1_GE3