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SIS890ADN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:24.7A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS890ADN-T1-GE3
- 商品编号
- C3279449
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 极低的RDS × Qg品质因数(FOM)
- 针对最低的RDS × Qoss FOM进行优化
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
-同步整流-初级侧开关-DC/DC转换器-电机驱动开关-电路保护-负载开关
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