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SQS405CENW-T1_GE3
汽车级P沟道MOSFET,电流:-16A,耐压:-12V
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 通过AEC-Q101认证。 100%进行Rg和UIS测试。 符合RoHS标准，无卤
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQS405CENW-T1_GE3
- 商品编号
- C3279443
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.154克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 13W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 850pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.1nF |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）第四代功率MOSFET
- 集成肖特基二极管的SkyFET低端MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- CPU核心电源
- 计算机/服务器外设负载点（POL）电源
- 同步降压转换器
- 电信直流-直流（DC/DC）电源
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