温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SISA35DN-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:16A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISA35DN-T1-GE3
- 商品编号
- C3279445
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 24W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景： 发动机管理系统 车身控制电子设备 DC - DC转换器
商品特性
- 额定温度达+175°C，适用于高环境温度环境
- 100%非钳位电感开关，确保终端应用更可靠、更耐用
- 低导通电阻RDS(ON)，最大限度降低功率损耗
- 低栅极电荷Qg，最大限度降低开关损耗
- 无铅镀层，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
- DMTH4004SPSQ适用于需要特定变更控制的汽车应用；该产品符合AEC - Q101标准，具备PPAP能力，且在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
- 发动机管理系统-车身控制电子设备-DC-DC转换器
相似推荐
其他推荐
- SISC06DN-T1-GE3
- SIS128LDN-T1-GE3
- SIS890ADN-T1-GE3
- SQS460EN-T1_BE3
- SISA12BDN-T1-GE3
- SIS903DN-T1-GE3
- SISS22LDN-T1-GE3
- SISS46DN-T1-GE3
- SISS73DN-T1-GE3
- SISS65DN-T1-GE3
- SISS06DN-T1-GE3
- SISS94DN-T1-GE3
- SISF04DN-T1-GE3
- SISF06DN-T1-GE3
- SISS32LDN-T1-GE3
- SISH407DN-T1-GE3
- SISS78LDN-T1-GE3
- SQS484CENW-T1_GE3
- SQS486CENW-T1_GE3
- SQS660CENW-T1_GE3
- SQS415ENW-T1_GE3