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SISA35DN-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:16A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISA35DN-T1-GE3
- 商品编号
- C3279445
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 24W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景： 发动机管理系统 车身控制电子设备 DC - DC转换器
商品特性
- TrenchFET第三代P沟道功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-适配器开关-负载开关-DC/DC转换器-高速开关-电池供电、移动和可穿戴设备的电源管理
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