温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIHK065N60E-T1-GE3
N沟道 MOSFET,电流:34A,耐压:600V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHK065N60E-T1-GE3
- 商品编号
- C3279433
- 商品封装
- PowerPAK(10x12)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 68mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 192W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.946nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 124pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 第四代E系列技术
- 低品质因数(FOM)导通电阻(Ron)×栅极电荷(Qg)
- 低有效电容(Co(er))
- 降低开关和传导损耗
- 雪崩能量额定值(UIS)
应用领域
-服务器和电信电源-开关模式电源(SMPS)-功率因数校正电源(PFC)-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-太阳能(光伏逆变器)
相似推荐
其他推荐
- SIHK075N60E-T1-GE3
- SIHK055N60E-T1-GE3
- SIHK125N60E-T1-GE3
- SI7116DN-T1-GE3
- SIS176LDN-T1-GE3
- SI7116BDN-T1-GE3
- SIS178LDN-T1-GE3
- SI7812DN-T1-GE3
- SISA10BDN-T1-GE3
- SQS405CENW-T1_GE3
- SISA35DN-T1-GE3
- SISC06DN-T1-GE3
- SIS128LDN-T1-GE3
- SIS890ADN-T1-GE3
- SQS460EN-T1_BE3
- SISA12BDN-T1-GE3
- SIS903DN-T1-GE3
- SISS22LDN-T1-GE3
- SISS46DN-T1-GE3
- SISS73DN-T1-GE3
- SISS65DN-T1-GE3