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SI7116DN-T1-GE3
N沟道,电流:16.4A,耐压:40V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7116DN-T1-GE3
- 商品编号
- C3279437
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 提供无卤选项
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 新型低热阻PowerPAK封装,高度仅1.07mm
- 针对PWM优化
- 100%进行栅极电阻测试
应用领域
-同步整流-中间开关-同步降压
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