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SIZ998BDT-T1-GE3实物图
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SIZ998BDT-T1-GE3

2个N沟道 耐压:30V 电流:94.6A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 SkyFET低端MOSFET，集成肖特基二极管。 极低的RDS×Qg品质因数，提高效率。 100%进行Rg和UIS测试。应用：CPU核心电源。 计算机/服务器外设
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIZ998BDT-T1-GE3
商品编号
C3279429
商品封装
PowerPAIR-8(6x5)​
包装方式
编带
商品毛重
0.11克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)94.6A
导通电阻(RDS(on))7.12mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)21.1W
阈值电压(Vgs(th))2.2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)31.1nC@10V
输入电容(Ciss)2.13nF
反向传输电容(Crss)40pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.05nF

数据手册PDF

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