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SIZ926DT-T1-GE3
2个N沟道 耐压:25V 电流:60A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 优化的Qgs / Qgd比改善开关特性。应用：CPU核心电源。 计算机/服务器外设
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIZ926DT-T1-GE3
- 商品编号
- C3279432
- 商品封装
- PowerPAIR-8(6x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 925pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 800pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它通过了AEC - Q101认证，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景： 电机控制 电源管理功能 DC - DC转换器
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 优化的Qgs/Qgd比可改善开关特性
应用领域
-CPU核心电源-计算机/服务器外设-负载点电源-同步降压转换器-电信DC/DC电源
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