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SIZ926DT-T1-GE3实物图
  • SIZ926DT-T1-GE3商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SIZ926DT-T1-GE3

2个N沟道 耐压:25V 电流:60A

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描述
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 优化的Qgs / Qgd比改善开关特性。应用：CPU核心电源。 计算机/服务器外设
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIZ926DT-T1-GE3
商品编号
C3279432
商品封装
PowerPAIR-8(6x5)​
包装方式
编带
商品毛重
0.177148克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)25V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))7.9mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)40W
阈值电压(Vgs(th))2.4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)19nC@10V
输入电容(Ciss)925pF
反向传输电容(Crss)100pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)800pF

数据手册PDF

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