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DMTH6016LFVWQ-7
1个N沟道 耐压:60V 电流:41A
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- 描述
- 这款MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求，符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，适用于背光电源管理功能和DC-DC转换器。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH6016LFVWQ-7
- 商品编号
- C3279409
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.081克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 41A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.38W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 939pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 23.4pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低RDS(ON) - 确保导通损耗最小化
- 出色的QGD × RDS(ON)乘积（品质因数）
- 适用于DC-DC转换器的先进技术
- 小尺寸、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO-8封装33%的电路板面积，可实现更小的终端产品
- 100%经过UIS（雪崩）额定测试
- 无铅表面处理；符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
- 背光源-电源管理功能-DC-DC转换器