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DMTH4014LPDQ-13
2个N沟道 耐压:40V 电流:43.6A
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：背光电源管理功能、DC-DC转换器。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH4014LPDQ-13
- 商品编号
- C3279414
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.226克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 43.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 733pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 235pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于背光照明、电源管理功能和DC-DC转换器。
商品特性
- 额定温度高达+175°C — 非常适合高温环境
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关测试 — 确保最终应用更加可靠和耐用
- 低导通电阻RDS(ON) — 确保导通状态损耗降至最低
- 小尺寸、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品
- 占用的电路板面积仅为SO-8封装的33%，有助于缩小终端产品尺寸
- 无铅表面处理；符合RoHS标准
- 无卤素和锑。环保型器件
- DMPH4029LFGQ适用于需要特定变更控制的汽车应用；该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
- 背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器