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SIZ250DT-T1-GE3
2个N沟道 耐压:60V 电流:38A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIZ250DT-T1-GE3
- 商品编号
- C3279427
- 商品封装
- PowerPAIR-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.29克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 840pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：电机控制、电源管理功能、DC-DC转换器。
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 优化的Qgs/Qgd比可改善开关特性
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-CPU核心电源-计算机/服务器外设-负载点(POL)-同步降压转换器-电信DC/DC电源
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