温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIZ250DT-T1-GE3
2个N沟道 耐压:60V 电流:38A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIZ250DT-T1-GE3
- 商品编号
- C3279427
- 商品封装
- PowerPAIR-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.29克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 840pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：电机控制、电源管理功能、DC-DC转换器。
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)——确保将导通状态损耗降至最低
- 100%非钳位电感开关，生产过程中进行测试——确保最终应用更可靠、更耐用
- 小尺寸、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO-8封装33%的电路板面积，使终端产品体积更小
- 完全无铅，完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，是“绿色”器件
- DMG7430LFGQ适用于需要特定变更控制的汽车应用；该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
- 电机控制-电源管理功能-DC-DC转换器
相似推荐
其他推荐
- SIZ256DT-T1-GE3
- SIZ998BDT-T1-GE3
- SIZ980BDT-T1-GE3
- SIZF906BDT-T1-GE3
- SIZ926DT-T1-GE3
- SIHK065N60E-T1-GE3
- SIHK075N60E-T1-GE3
- SIHK055N60E-T1-GE3
- SIHK125N60E-T1-GE3
- SI7116DN-T1-GE3
- SIS176LDN-T1-GE3
- SI7116BDN-T1-GE3
- SIS178LDN-T1-GE3
- SI7812DN-T1-GE3
- SISA10BDN-T1-GE3
- SQS405CENW-T1_GE3
- SI7818DN-T1-GE3
- SISA35DN-T1-GE3
- SISC06DN-T1-GE3
- SIS128LDN-T1-GE3
- SIS890ADN-T1-GE3