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DMP6050SPS-13
1个P沟道 耐压:60V 电流:5.7A
- 描述
- 这款新一代 60V P 沟道增强型 MOSFET 的设计旨在最大程度降低导通电阻（RDo(sON)），同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP6050SPS-13
- 商品编号
- C3279412
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.23348克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.163nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 88pF |
商品概述
该器件在双封装中集成了两个专用的N沟道MOSFET。开关节点已实现内部连接，便于同步降压转换器的布局和布线。控制MOSFET（Q1）和同步SyncFET™（Q2）的设计旨在实现最佳功率效率。
商品特性
- 散热高效封装——适用于低温运行应用
- 高转换效率
- 低导通电阻RDS(ON)——最大限度降低导通状态损耗
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 封装高度<1.1mm——适用于轻薄型应用
- 无铅表面处理;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-笔记本电脑电池电源管理-DC-DC转换器-负载开关