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TSM60NB260CI C0G

1个N沟道耐压:600V 电流:13A

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM60NB260CI C0G
商品编号: C3278327
商品封装: ITO-220AB
包装方式: 管装
商品毛重: 2.612克(g)

商品参数

商品特性

超结技术
高性能,低 RDS(ON)*Qg 品质因数 (FOM)
高耐用性
100% 进行单脉冲雪崩耐量 (UIS) 测试
高换向性能
无铅电镀
符合欧盟指令 2011/65/EU 的 RoHS 标准,且符合 WEE 2002/96/EC 标准
根据 IEC 61249-2-21 标准为无卤产品
无铅
合规

应用领域

-电源-交流/直流 LED 照明

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	13A
	导通电阻(RDS(on))	260mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	32.1W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	栅极电荷量(Qg)	30nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.273nF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	92pF