温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 294W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 164pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.381nF |
商品特性
- 全面优化的安全工作区(SOA),实现卓越的线性模式运行
- 低导通电阻(RDSon),降低I2R传导损耗
- LFPAK56E封装,适用于在30平方毫米占位面积内要求高性能和高可靠性的应用
应用领域
-热插拔-负载开关-软启动-电子保险丝-基于48V背板/电源轨的电信系统