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PSMNR55-40SSHJ实物图
  • PSMNR55-40SSHJ商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PSMNR55-40SSHJ

N沟道,电流:500A,耐压:40V

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描述
500 Amp连续电流,标准电平栅极驱动,采用LFPAK88封装的N沟道增强型MOSFET。NextPowerS3系列采用独特的“SchottkyPlus”技术,可实现通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET相关的高效率和低尖峰性能,但不会出现有问题的高泄漏电流。NextPowerS3特别适用于高开关频率下的高效应用,以及高负载电流下的安全可靠开关。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PSMNR55-40SSHJ
商品编号
C3278372
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)500A
导通电阻(RDS(on))0.55mΩ@10V
耗散功率(Pd)375W
阈值电压(Vgs(th))3.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)267nC@10V
输入电容(Ciss)21.162nF
反向传输电容(Crss)1.197nF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)3.805nF

商品特性

  • 具备500安培的连续电流能力
  • LFPAK88(8 x 8毫米)LFPAK风格的低应力外露引线框架,确保极致可靠性、最佳焊接效果并便于焊点检查
  • 采用铜夹和焊片连接,降低封装电感和电阻,提高ID(最大值)额定值
  • 是D2PAK和10 x 12毫米无引脚封装类型的理想替代品
  • 可在175°C环境下工作
  • 满足UL2595关于爬电距离和电气间隙的要求
  • 具备雪崩额定值,经过100%测试
  • 低QG、QGD和QOSS,实现高效率,尤其在较高开关频率下
  • 超快开关速度和软体二极管恢复特性,减少尖峰和振铃,推荐用于低EMI设计
  • 独特的“肖特基增强(SchottkyPlus)”技术,实现类肖特基开关性能和低IDSS漏电流
  • 窄VGS(th)额定值,便于并联使用并改善电流分配
  • 非常强的线性模式/安全工作区特性,确保在高电流条件下安全可靠地开关

应用领域

-无刷直流电机控制-高功率AC-DC应用中的同步整流器,如服务器电源-电池保护和电池管理系统(BMS)-电子保险丝和负载开关-热插拔/浪涌电流管理

数据手册PDF