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PXP1500-100QSJ
100V, P通道, 沟槽MOSFET
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- 描述
- 采用沟槽MOSFET技术、MLPAK33（SOT8002 - 2）表面贴装器件（SMD）塑料封装的P沟道增强型场效应晶体管（FET）。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PXP1500-100QSJ
- 商品编号
- C3278426
- 商品封装
- MLPAK(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 159pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、MLPAK33（SOT8002）表面贴装器件（SMD）塑料封装的P沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 沟槽MOSFET技术
- MLPAK33封装(占位面积3.3 x 3.3 mm)
- 低热阻
- 低厚度0.8 mm
应用领域
-有源钳位电路