- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MRFE6VP61K25HR5
MRFE6VP61K25HR5
- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- MRFE6VP61K25HR5
- 商品编号
- C3278444
- 商品封装
- NI-1230
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 133V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 562pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.8pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 185pF | |
| 栅极电压(Vgs) | - |
商品概述
这些高耐用性器件专为高电压驻波比(VSWR)的工业应用(包括激光和等离子体激励器)、广播(模拟和数字)、无线电/陆地移动应用而设计。它们采用非匹配输入和输出设计,可在1.8至600 MHz的宽频率范围内使用。
商品特性
- 非匹配输入和输出,可实现宽频率范围应用
- 器件可单端使用或采用推挽配置
- 最高可在50 VDD电压下工作
- 在30 V至50 V电压下进行特性测试,以扩展功率范围
- 采用适当偏置时适用于线性应用
- 集成静电放电(ESD)保护,具有更大的负栅源电压范围,可改善C类工作性能
- 具备串联等效大信号阻抗参数特性
- 采用卷带包装。后缀R6表示150个器件,56 mm带宽,13英寸卷轴。后缀R5表示50个器件,56 mm带宽,13英寸卷轴。
应用领域
-高VSWR工业应用(包括激光和等离子体激励器)-广播(模拟和数字)-无线电/陆地移动应用