- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
A3V07H600-42NR6
A3V07H600-42NR6
- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- A3V07H600-42NR6
- 商品编号
- C3278460
- 商品封装
- OM-1230-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 112W |
商品概述
这款112 W非对称Doherty射频功率LDMOS晶体管专为覆盖616至870 MHz频率范围的蜂窝基站应用而设计。
商品特性
- 先进的高性能封装内Doherty技术
- 更宽的负栅源电压范围,改善C类工作状态
- 专为数字预失真误差校正系统设计
应用领域
- 蜂窝基站
- MRF1K50GNR5
- AFT31150NR5
- A3V26S004NT6
- A3G26D055N-2110
- A3G26D055N-2400
- A3I20X050GNR1
- BLP9H10S-350AY
- BLP9H10S-500AWTY
- A3G26D055N-2515
- TSM150NB04DCR RLG
- TSM045NB06CR RLG
- TSM150NB04LDCR RLG
- TSM680P06DPQ56 RLG
- TSM089N08LCR RLG
- TSM026NA03CR RLG
- TSM052NB03CR RLG
- TSM6502CR RLG
- TSM110NB04CR RLG
- TSM018NB03CR RLG
- TSM110NB04LDCR RLG
- TQM150NB04CR RLG